Dioda schottkyDari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebasBelum DiperiksaLangsung ke: navigasi, cari
simbol dioda schottkyDioda schottky (diambil dari nama seorang ahli fisika Jerman Walter H. Schottky; juga dikenal sebagai dioda pembawa panas) adalah dioda semikonduktor dengan tegangan rendah.
[sunting] KonstruksiDioda Schottky adalah tipe khusus dari dioda dengan tegangan yang rendah. Ketika arus mengalir melalui dioda akan ditahan oleh hambatan internal, yang menyebabkan tegangannya menjadi kecil di terminal dioda. Dioda normal antara 0.7-1.7 volt, sementara dioda Schottky tegangan kira-kira antara 0.15-0.45 volt.
Dioda Schottky menggunakan simpangan logam-semikonduktor sebagai sawar schottky (dari sebuah simpangan semikonduktor-semikonduktor seperti dalam dioda konvensional). Sawar schottky ini dihasilkan dengan waktu kontak yang sangat cepat dan tegangan yang rendah.
Perbedaan yang paling penting antara p-n dan dioda Schottky adalah dari membalikkannya waktu pemulihan, ketika beralih dari keadaan tidak menghantarkan ke keadaan menghantarkan dan sebaliknya. Dimana dalam dioda p-n waktu pemulihan balik dapat dalam orde ratusan nano-detik dan kurang dari 100 nano-detik untuk dioda cepat.
[sunting] AplikasiAplikasi termasuk perlindungan muatan pada sel surya yang dihubungkan dengan batere timbal-asam dan dalam mode saklar-sumber listrik; dalam kedua kasus rendahnya tegangan akan meningkatkan efisiensi. Dioda silicon standar tegangan kira-kira sekitar 0.7 volt dan dioda germanium 0.3 volt.
Diperoleh dari "http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Dioda_schottky&oldid=4837262"
simbol dioda schottkyDioda schottky (diambil dari nama seorang ahli fisika Jerman Walter H. Schottky; juga dikenal sebagai dioda pembawa panas) adalah dioda semikonduktor dengan tegangan rendah.
[sunting] KonstruksiDioda Schottky adalah tipe khusus dari dioda dengan tegangan yang rendah. Ketika arus mengalir melalui dioda akan ditahan oleh hambatan internal, yang menyebabkan tegangannya menjadi kecil di terminal dioda. Dioda normal antara 0.7-1.7 volt, sementara dioda Schottky tegangan kira-kira antara 0.15-0.45 volt.
Dioda Schottky menggunakan simpangan logam-semikonduktor sebagai sawar schottky (dari sebuah simpangan semikonduktor-semikonduktor seperti dalam dioda konvensional). Sawar schottky ini dihasilkan dengan waktu kontak yang sangat cepat dan tegangan yang rendah.
Perbedaan yang paling penting antara p-n dan dioda Schottky adalah dari membalikkannya waktu pemulihan, ketika beralih dari keadaan tidak menghantarkan ke keadaan menghantarkan dan sebaliknya. Dimana dalam dioda p-n waktu pemulihan balik dapat dalam orde ratusan nano-detik dan kurang dari 100 nano-detik untuk dioda cepat.
[sunting] AplikasiAplikasi termasuk perlindungan muatan pada sel surya yang dihubungkan dengan batere timbal-asam dan dalam mode saklar-sumber listrik; dalam kedua kasus rendahnya tegangan akan meningkatkan efisiensi. Dioda silicon standar tegangan kira-kira sekitar 0.7 volt dan dioda germanium 0.3 volt.
Diperoleh dari "http://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Dioda_schottky&oldid=4837262"
No comments:
Post a Comment